在半導(dǎo)體外延爐的選擇中，價(jià)錢與性能平衡需結(jié)合技術(shù)方案、應(yīng)用領(lǐng)域及國(guó)產(chǎn)化替代發(fā)展趨勢(shì)綜合考慮。以下屬于重要衡量點(diǎn)與建議：
1. 技術(shù)方案與價(jià)格差異
平移式CVD機(jī)器設(shè)備：具有技術(shù)水平低、成本費(fèi)適中特性，適宜新入公司或中小型生產(chǎn)能力要求，但外延性均勻度和不合格率操縱相對(duì)較差。
多內(nèi)腔/多內(nèi)置式設(shè)計(jì)方案：根據(jù)同步運(yùn)行提高生產(chǎn)能力（如8英尺SiC外延性爐生長(zhǎng)速度＞60 μm/h），減少片式成本費(fèi)，但機(jī)器設(shè)備復(fù)雜性高，前期投入很大。
國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：廠商根據(jù)可靠性設(shè)計(jì)提高均勻度（厚度均勻性＜1.5%，缺點(diǎn)相對(duì)密度＜0.3顆/cm2），與此同時(shí)價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低約30%-50%，適宜大規(guī)模生產(chǎn)要求。
2. 特性關(guān)鍵指標(biāo)與股權(quán)溢價(jià)要素
外延性品質(zhì)：夾雜均勻度（＜3%）、缺點(diǎn)相對(duì)密度（如細(xì)顆粒物操縱）、外表粗糙度（Ra＜0.15 nm）直接關(guān)系元器件穩(wěn)定性，高端數(shù)控機(jī)床根據(jù)閉環(huán)控制溫度控制和氣體分布提升完成更高一些指標(biāo)值，但是價(jià)格明顯高過國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品。
持續(xù)高溫可靠性：氮化硅外延性需承受1500°C左右高溫天氣，進(jìn)口產(chǎn)品在耐腐蝕材料和傳感器精度上仍具優(yōu)點(diǎn)，但國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品已經(jīng)接近國(guó)際水平。
自動(dòng)化技術(shù)與維護(hù)費(fèi)用：進(jìn)口產(chǎn)品集成化自控系統(tǒng)（如實(shí)時(shí)反饋調(diào)節(jié)工藝指標(biāo)），減少人工控制，但維護(hù)成本成本相對(duì)高；國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品根據(jù)模塊化減少維護(hù)保養(yǎng)難度系數(shù)，性價(jià)比高更優(yōu)質(zhì)。
3. 應(yīng)用領(lǐng)域兼容提議
功率器件：首先選擇國(guó)內(nèi)多內(nèi)置式機(jī)器設(shè)備，兼具生產(chǎn)能力（每年產(chǎn)量＞500片）與成本，達(dá)到新能源電動(dòng)車、太陽能逆變器高壓要求。
射頻器件：需更高一些夾雜均勻度和高不合格率，可以考慮進(jìn)口產(chǎn)品或國(guó)產(chǎn)高端型號(hào)規(guī)格，但需要衡量股權(quán)溢價(jià)與長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
研發(fā)及小批生產(chǎn)：選用平移式CVD機(jī)器設(shè)備控制成本，雖特性略遜，但能達(dá)到前期認(rèn)證要求。
4. 國(guó)產(chǎn)化替代發(fā)展趨勢(shì)與長(zhǎng)期成本優(yōu)化
國(guó)產(chǎn)廠商根據(jù)技術(shù)升級(jí)逐步縮小與國(guó)外差別，政策扶持加快產(chǎn)能擴(kuò)張，在未來3-5年國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)格進(jìn)一步下降10%-20%。
可以關(guān)注國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品在一定原材料的創(chuàng)新，其性價(jià)比優(yōu)勢(shì)在寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)尤其明顯。