半導體外延爐用鉬器件的潛在危害主要包含以下幾個方面：
1.傳熱效率降低
硅碳棒高溫下表面會產(chǎn)生二氧化硅防護膜，但經(jīng)常加溫和冷卻也會導致防護膜掉下來，從而影響傳熱效率并縮短使用壽命。除此之外，超低溫空氣氧化（小于700℃）會損害防護層，加重元器件消耗。
2.安全風險
元器件冷端與爐口距離過近可能會引起局部過熱，造成爐口損傷或元器件破裂。接線夾具未夾持時有可能出現(xiàn)點火狀況，提升破裂風險性。H2氣氛中二氧化硅防護膜能被氧化反應毀壞，需要在氣體氛圍中生成防護層。
3.維護保養(yǎng)要求嚴格
需定期維護工裝夾具情況、防止超低溫空氣氧化、操縱H2氛圍應用，且需配備預留元器件以應對突發(fā)毀壞。堅持使用可以減少防護膜掉下來難題，但維護保養(yǎng)不合理仍也會導致壽命縮短。
4.職業(yè)類型感染風險
鉬化學物質(zhì)（如三氧化鉬）對皮膚、呼吸系統(tǒng)有刺激效果，經(jīng)常接觸可能會引起嚴重貧血、肝功能危害乃至人體骨骼病損。職工需配戴防護裝備并定期檢測血鉬濃度值。